{"id":51,"date":"2020-11-21T19:35:54","date_gmt":"2020-11-21T18:35:54","guid":{"rendered":"http:\/\/s2m-nanotech-isimm.org\/?page_id=51"},"modified":"2021-03-10T21:39:13","modified_gmt":"2021-03-10T20:39:13","slug":"propositions-de-stages-de-masteres","status":"publish","type":"page","link":"http:\/\/s2m-nanotech-isimm.org\/?page_id=51","title":{"rendered":"Propositions de stages de mast\u00e8res"},"content":{"rendered":"\n

Lieu des stages<\/span>:<\/em><\/strong> Institut Sup\u00e9rieur d’Informatique et de Math\u00e9matiques de Monastir<\/p>\n\n\n\n

Sujet 1<\/span><\/strong><\/p>\n\n\n\n

Titre<\/span>:\u00a0<\/strong>Simulation et \u00e9tapes technologiques de r\u00e9alisation d\u2019un micro-capteur chimique ISFET et analyse de circuits de mesures<\/p>\n\n\n\n

Encadreur<\/span>:\u00a0<\/strong>Mohamed Khalfaoui <\/p>\n\n\n\n

Contact<\/span><\/strong>: mohamed.khalfaouitn@gmail.com\u00a0<\/p>\n\n\n\n

R\u00e9sum\u00e9<\/span>:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Les micro-capteurs chimiques de type ISFET (Ion Selective Field Effect Transistor) sont des dispositifs \u00e9lectroniques constitu\u00e9s d\u2019une partie chimiquement sensible (couche sensible) permettant la reconnaissance chimique et d\u2019un syst\u00e8me transducteur transformant les grandeurs chimiques en un signal \u00e9lectrique facilement exploitable.<\/p>\n\n\n\n

Le pr\u00e9sent sujet de recherche a pour objectif d\u2019\u00e9tudier les param\u00e8tres technologiques et \u00e9lectriques du transducteur \u00e9lectrique (repr\u00e9sent\u00e9 par le transistor MOSFET) du capteur chimique ISFET en utilisant le logiciel TCAD-SILVACO. On se propose alors de concevoir et pr\u00e9voir les performances des dispositifs \u00e0 base de semiconducteur gr\u00e2ce \u00e0 ces deux modules de simulation (ATHENA et ATLAS). Les diff\u00e9rentes \u00e9tapes du proc\u00e9d\u00e9 technologique de fabrication (oxydation, diffusion, implantation ionique,\u2026), ainsi les param\u00e8tres technologiques du composant \u00e9lectronique (distribution des porteurs dans la structure, profondeurs des jonctions, concentration des porteurs) seront simul\u00e9s \u00e0 partir du logiciel ATHENA qui emploie des mod\u00e8les sp\u00e9cifiques. La simulation du comportement \u00e9lectrique du dispositif, sera r\u00e9alis\u00e9e au moyen de l\u2019outil ATLAS.<\/p>\n\n\n\n

Bien que les micro-capteurs chimiques sont bien exploit\u00e9s en industrie, n\u00e9anmoins une am\u00e9lioration des caract\u00e9ristiques de fonctionnement est toujours demand\u00e9e (sensibilit\u00e9 au fluctuations thermiques et lumineuses, ph\u00e9nom\u00e8nes parasites de polarisation). Une simulation du fonctionnement du micro-capteurs sous diff\u00e9rents circuits sous Pspice est pr\u00e9vue. Ceci est r\u00e9alisable apr\u00e8s l\u2019extraction du mod\u00e8le du capteur vers une netlist de PSpice et cr\u00e9er alors un composant de biblioth\u00e8que PSpice. En effet, \u00e0 partir du mod\u00e8le OFET qui sera d\u00e9velopp\u00e9, un syst\u00e8me \u00e9lectronique complet de d\u00e9tection avec \u00e9tage d\u2019amplification, filtre et correction d\u2019offset sera propos\u00e9 suite \u00e0 une simulation sous Pscpice.<\/p>\n\n\n\n

\"\"<\/figure><\/div>\n\n\n\n\n\n

Sujet 2<\/span><\/strong><\/p>\n\n\n\n

Titre<\/span>:\u00a0<\/strong>Etude et simulation d\u2019un transistor OFET avec TCAD SILVACO\u00a0: param\u00e8tres technologiques et \u00e9lectriques<\/p>\n\n\n\n

Encadreur<\/span>:\u00a0<\/strong> Mohamed Khalfaoui<\/p>\n\n\n\n

Contact<\/span><\/strong>: mohamed.khalfaouitn@gmail.com<\/p>\n\n\n\n

R\u00e9sum\u00e9<\/span>:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

L\u2019\u00e9lectronique organique repr\u00e9sente une nouvelle g\u00e9n\u00e9ration de la technologie de l\u2019information et de la communication et elle vient s\u2019imposer dans le domaine des composants \u00e9lectroniques et ceci gr\u00e2ce \u00e0 ses nombreuses caract\u00e9ristiques avantageuses, notamment le faible co\u00fbt de fabrication, la souplesse, la l\u00e9g\u00e8ret\u00e9 et le fait que le support de fabrication peut \u00eatre flexible comme le papier ou le plastique. Un composant organique est aussi beaucoup plus l\u00e9ger qu\u2019un composant \u00e0 base de silicium. Cependant, et \u00e0 titre d\u2019exemple les transistors organiques souffrent de nombreux inconv\u00e9nients : courants faibles, l\u2019injection de charges et la puissance dissip\u00e9e, en d\u00e9pit du d\u00e9veloppement et des progr\u00e8s impressionnants dans leurs performances.<\/p>\n\n\n\n

De ce fait, la mod\u00e9lisation des dispositifs \u00e9lectroniques organiques constitue actuellement un axe de recherche tr\u00e8s important et attractif \u00e0 travers le monde. Le pr\u00e9sent sujet de recherche a pour objectif la mod\u00e9lisation d\u2019un transistor organique OFET d\u2019un point de vue \u00e9lectrique est donc de remplacer un syst\u00e8me complexe par un objet simple et de reproduire voire pr\u00e9dire ses comportements principaux (caract\u00e9ristique I-V).<\/p>\n\n\n\n

Les t\u00e2ches \u00e0 r\u00e9aliser durant ce stage sont multiples :<\/p>\n\n\n\n